Propiedades Electrónicas y Mecánicas de Materiales Avanzados

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Propiedades Electrónicas y Mecánicas de Materiales Avanzados

Código: 271
Acronimo: EPNM
Tipo: Grupo consolidado
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Categorías: PE3 Condensed Matter Physics
TM Ciencia y Tecnología de Materiales
FI Física y ciencias del espacio
Coordinador:
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Lineas de investigación:

Estructura electrónica de superficies e interfases Física del crecimiento y propiedades mecánicas de láminas policristalinas Nanofísica Difracción de superficies Estructura electrónica de materiales avanzados Acoplamiento espín-órbita en superficies Transiciones de fase en superficies Transición de Mott Ondas de densidad de carga



Proyectos más relevantes:

Estructura electrónica de sistemas con confinamiento cuántico. Proyecto BFM2001-0244 del MCyT (2002-04). Subvención: 236.000 Eur. Fenómenos colectivos y confinamiento cuántico en sistemas de baja dimensionalidad. Proyecto FIS2005-00747 (2005-2008). Subvención: 221.340 Euros. Materiales avanzados basados en óxidos funcionales: relación entre tamaño de partícula, estructura y propiedades. Programa de actividades de la Comunidad de Madrid S-505/PPQ/0316 (2006-2009). Subvención: 100.000 Euros. Efectos de la estructura electrónica en sistemas de baja dimensionalidad: transiciones de fase, confinamiento y reactividad. Proyecto FIS2008-00399 (2009-2011). Subvención: 262.570 Euros. Crecimiento y estructura electrónica de materiales para espintrónica: aleaciones, intercaras y aislantes topológicos. Proyecto coordinado MAT2014-52477-C5-5-P (2015-2017). Subvención: 130.000 euros.



Publicaciones más relevantes:

Quantum well states and short period oscillations of the density of states at the Fermi level in Cu films grown on fcc-Co(100)P. Segovia, E.G. Michel, and J.E. Ortega Physical Review Letters 77 (1996) 3455. Fermi surface gapping and nesting in the surface phase transition of Sn/Cu(100)J. Martínez-Blanco, V. Joco, H. Ascolani, A. Tejeda, C. Quirós, G. Panaccione, T. Balasubramanian, P. Segovia, and E.G. Michel Physical Review B 72 (2005) 041401(R) Structural origin of the Sn 4d core level line shape in Sn/Ge(111)-(3×3) A. Tejeda, R. Cortés, J. Lobo-Checa, C. Didiot, B. Kierren, D. Malterre, E.G. Michel, and A. Mascaraque Physical Review Letters 100 (2008) 026103. Evolution of the electronic structure during the epitaxial growth of Au on Pt(100) S. Bengió, L. Walczak, I. Vobornik, P. Segovia, and E.G. Michel Surf. Sci. 646, 126 (2016). Intrinsic Compressive Stress in Polycrystalline Films is Localized at Edges of the Grain Boundaries, Enrique Vasco and Celia Polop, Physical Review Letters 119, 256102, (2017).

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